薄膜沉積（如CVD/ALD）是半導體制造的核心工藝之一，需定期使用NF?清潔腔室以去除沉積物。精確控制清潔終點至關重要：
傳統方法依賴經驗時間控制，但實際最佳清潔時間受沉積厚度、溫度、壓力等因素影響，且參數可能漂移。因此，多數工藝會延長清潔時間以確保徹底清潔，但造成資源浪費。
Johnson等（2004）提出通過監測SiF?分壓確定清潔終點。紅外氣體傳感器因其高實時性和可靠性，已成為主流檢測手段。
NF?與沉積物反應生成SiF?氣體，其分壓變化可反映清潔狀態：
四方儀器作為國際領先的紅外氣體傳感器制造商，針對薄膜沉積設備清潔終點檢測需求，推出SiF?、WF6紅外氣體傳感器。
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